| 发明名称 | 一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构。该结构通过利用硅化物的导体特性，克服了半导体载流子导电电阻结构在高温时由于本征电离效应出现的电阻负温度特性问题，使得电阻在很大范围的ESD过程中不仅不会出现阻值变小降低电阻抬升电位能力的问题，反而会变大，提高了电阻抬升电位的能力。除此之外，此电阻还具有ESD后稳定的阻值特性，克服了半导体载流子导电电阻在ESD过程中出现的杂质回火效应问题，进一步减小了对电路电学特性的影响。利用本发明，一方面可以获得更稳定的ESD防护能力，另一方面在获得更稳定的ESD防护能力的同时可以降低ESD防护用电阻对电路电学特性的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101562188A | 申请公布日期 | 2009.10.21 |
| 申请号 | CN200810104231.1 | 申请日期 | 2008.04.16 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 曾传滨;李晶;海潮和;李多力;韩郑生 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种改善绝缘体上硅SOI电路静电放电防护ESD网络用的电阻结构，其特征在于，该电阻结构使用硅(22)或多晶硅(32)作为次要电阻导电薄膜；使用硅(22)上的硅化物(21)或多晶硅(32)上的硅化物(31)作为主要电阻导电薄膜。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||