| 发明名称 | 测量外延生长中图形畸变的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种测量外延生长中图形畸变的方法，包括如下步骤：(1)采用光刻板A对衬底层进行光刻，刻蚀，产生两套测量图形；(2)在上述两套测量图形上产生保护层；(3)采用光刻板B对保护层进行光刻，刻蚀，使其中第一套图形被保护；(4)外延生长，产生第二套外延生长后的图形；(5)测量第一套图形和第二套图形，经对比得到外延生长中的图形畸变。使用了本发明的测量方法后，可以比较精确的测量出外延生长工艺造成的图形畸变量，一方面可以提高外延工艺的工艺参数表现的表征能力，另一方面对于后续的光刻对准工艺有很大帮助，可以提高小尺寸外延产品的光刻对准精度，从而使外延产品的尺寸不断缩小成为可能。 | ||
| 申请公布号 | CN100552909C | 申请公布日期 | 2009.10.21 |
| 申请号 | CN200710093952.2 | 申请日期 | 2007.07.17 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王雷;黄玮 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1、一种测量外延生长中图形畸变的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)采用光刻板A对衬底层进行光刻，刻蚀，产生两套测量图形；(2)在上述两套测量图形上产生保护层；(3)采用光刻板B对保护层进行光刻，刻蚀，使其中第一套图形被保护；(4)外延生长，产生第二套外延生长后的图形；(5)测量第一套图形和第二套图形，经对比得到外延生长中的图形畸变。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||