曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序

摘要

在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，以预定的测试图形对抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形。然后，对被刻蚀膜进行刻蚀，剥离抗蚀剂图形，通过散射测量技术测定上述多个部位的被刻蚀膜的图形的形状，根据逐次曝光的曝光量以及聚焦值、抗蚀剂图形的线宽和刻蚀图形的线宽，决定为了得到所希望形状的刻蚀图形所允许的曝光量和聚焦值的组合的管理范围。

主权项

1.一种曝光条件设定方法，具有如下步骤：在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，用预定的测试图形对上述抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形；通过散射测量技术测定上述多个部位的抗蚀剂图形的形状；使用形成有上述抗蚀剂图形的抗蚀剂膜作为刻蚀掩模，对上述被刻蚀层进行刻蚀，从上述衬底上剥离上述抗蚀剂膜，在上述多个部位形成刻蚀图形；通过散射测量技术测定上述多个部位的刻蚀图形的形状；根据对上述多个部位进行逐次曝光时的上述各部位的曝光量以及聚焦值的组合、上述多个部位的上述抗蚀剂图形的形状测定结果和上述多个部位的上述刻蚀图形的形状测定结果，决定为了得到所希望形状的刻蚀图形所允许的曝光量和聚焦值的组合的管理范围。