三维半导体纳米结构阵列及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有二阶阵列的三维半导体纳米结构阵列及其制备方法。该三维半导体纳米结构阵列为在规则排列的一维纳米棒组成的一阶阵列基础上，再在每一根纳米棒表面生长有许多更细小的二阶纳米线阵列，其材料为半导体晶体。制备方法采用两步法，首先制备金属纳米线一阶阵列，再对一阶纳米阵列结构进行硫化或氧化气-固反应，最终获得具有二阶阵列的三维半导体纳米结构阵列。采用本方法制备的三维纳米阵列结构排列有序，周期性好，材料晶体结构完整，高度可控、可制备大面积三维纳米阵列结构。其制备过程和设备简单，工艺可控，成本低。

主权项

1、一种三维半导体纳米结构阵列，其特征在于：由相互平行且相隔一定间距的直立纳米棒形成一次阵列，在每一根棒体表面呈辐射状生长有比棒体更细小的纳米线二次阵列；所述半导体为具有晶体结构的硫化物半导体材料或氧化物半导体材料。