| 发明名称 | 使用覆盖在抗蚀剂上的保护层的沉浸光刻技术和产品 | ||
| 摘要 | 在一种沉浸光刻方法中，为光致抗蚀剂层(20)提供屏蔽层(30)以保护光致抗蚀剂层(20)不受因与浸液接触引起的降解的影响。屏蔽层(30)在曝光波长下透明，并基本不透(优选不溶于)浸液。屏蔽层(30)可由能使用与曝光后用于显影光致抗蚀剂层(20)的显影剂相同的显影剂除去的材料形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101558357A | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200580001379.7 | 申请日期 | 2005.02.15 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 凯尔·帕特松;柯克·施特罗泽夫斯基 |
| 分类号 | G03F7/09(2006.01)I;G03F7/11(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/09(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种沉浸光刻方法，其中使用光学曝光系统在曝光期间曝光光致抗蚀剂层，在光学曝光系统和要被曝光的光致抗蚀剂层(20)之间插入沉浸介质，曝光后，使用显影剂显影光致抗蚀剂层，其特征在于，该方法包括为光致抗蚀剂层(20)提供屏蔽层(30)以防止光致抗蚀剂层(20)和沉浸介质之间接触的步骤，所述屏蔽层在曝光波长下为透明的且不透沉浸介质。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||