发明名称 连续卷绕式磁控溅射双面陶瓷高阻隔膜装置
摘要 本发明提供了一种连续卷绕式磁控溅射双面陶瓷高阻隔膜装置。它包括沉积室、放卷装置和收卷装置,在沉积室上部安有放卷装置,中间装有镀膜辊,下部装有长方形硅靶,沉积室的两端设有封头,在沉积室上设有观察窗,沉积室的下部通过蝶阀和管道分别连接有机械泵、罗茨泵和分子泵,分子泵连接维持泵。本发明在每个真空镀膜室安装等离子源,对膜表面进行清洗和表面处理,以保证后续镀膜质量。本发明实现了连续化生产,克服了现有技术只能单面镀膜的不足,提供了连续在基材双面同时镀膜的功能,对于进一步提高包装材料的高阻隔性具有积极的意义,在连续生产的基础上极大的提高了生产效率,极大的提高了社会效益,对柔性包装材料的阻隔性能有很大的提高。
申请公布号 CN101555589A 申请公布日期 2009.10.14
申请号 CN200910072077.9 申请日期 2009.05.20
申请人 哈尔滨商业大学 发明人 林晶;孙智慧;于贵文;刘壮
分类号 C23C14/56(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I 主分类号 C23C14/56(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司 代理人 刘 娅
主权项 1、一种连续卷绕式磁控溅射双面陶瓷高阻隔膜装置,其特征在于它包括沉积室、放卷装置、收卷装置以及设置在沉积室外部的蝶阀、机械泵、罗茨泵、分子泵,在沉积室上部安有放卷装置,中间装有镀膜辊,下部装有长方形硅靶,沉积室的两端设有封头,在沉积室上设有观察窗,沉积室的下部通过蝶阀和管道分别连接有机械泵、罗茨泵和分子泵,分子泵连接维持泵。
地址 150028黑龙江省哈尔滨市松北区学海街1号哈尔滨商业大学轻工学院