发明名称 |
薄膜晶体管和其制造方法以及有机发光二极管显示装置 |
摘要 |
一种薄膜晶体管和其制造方法以及有机发光二极管显示装置。所述薄膜晶体管包括:基板;布置在所述基板上并且具有沟道区、源区、漏区和体接触区的半导体层;布置在所述半导体层上以暴露所述体接触区的栅绝缘层;布置在所述栅绝缘层上并与被所述栅绝缘层暴露的所述体接触区接触的硅层;布置在所述硅层上的栅电极;布置在所述栅电极上的层间绝缘层;以及布置在所述层间绝缘层上并与所述源区和漏区电连接的源电极和漏电极,其中所述体接触区形成在所述半导体层的边缘区域中。 |
申请公布号 |
CN101556968A |
申请公布日期 |
2009.10.14 |
申请号 |
CN200910134258.X |
申请日期 |
2009.04.10 |
申请人 |
三星移动显示器株式会社 |
发明人 |
朴炳建;徐晋旭;梁泰勋;李吉远;李东炫 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 |
代理人 |
康 泉;宋志强 |
主权项 |
1、一种薄膜晶体管,包括:基板;半导体层,被布置在所述基板上,该半导体层包括沟道区、源区、漏区和形成在所述半导体层的第一边缘处的第一体接触区;栅绝缘层,被布置在所述半导体层上,以暴露所述第一体接触区;硅层,被布置为使所述栅绝缘层位于所述硅层与所述半导体层的沟道区之间,并与所述第一体接触区接触;栅电极,被布置在所述硅层上;层间绝缘层,被布置在所述栅电极上;以及源电极和漏电极,被布置在所述层间绝缘层上并分别与所述源区和漏区电连接。 |
地址 |
韩国京畿道 |