发明名称 |
薄膜晶体管衬底及其制造方法 |
摘要 |
公开了一种提高了显示质量的薄膜晶体管衬底,包括:栅极线;数据线,与栅极线交叉并提供与栅极线和数据线毗邻的像素区域;数据图样,形成在与数据线大致相同的平面上并由与数据线大致相同的材料形成;薄膜晶体管,与栅极线和数据线连接、像素电极,与薄膜晶体管连接;有机保护层,在像素电极下形成并保护薄膜晶体管;和无机保护层,形成在数据图样和有机保护层之间,无机保护层以与数据图样有类似的图样形成在数据图样上。进一步提供了上述薄膜晶体管的制造方法。 |
申请公布号 |
CN100550395C |
申请公布日期 |
2009.10.14 |
申请号 |
CN200610100747.X |
申请日期 |
2006.07.04 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
柳春基 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
戎志敏 |
主权项 |
1.一种薄膜晶体管衬底,包括:绝缘衬底;形成在所述绝缘衬底上的有源层;覆盖所述有源层的栅极绝缘层;形成在所述栅极绝缘层上的栅极图样,所述栅极图样包括栅极线和栅电极;覆盖所述栅极图样的层间绝缘层;形成在所述层间绝缘层上的数据图样,所述数据图样包括数据线、源电极和漏电极;无机保护层,以与所述数据图样相同的形状形成在所述数据图样上;形成在所述无机保护层上的有机保护层;以及形成在所述有机保护层上并与所述漏电极连接的像素电极。 |
地址 |
韩国京畿道 |