发明名称 | 记忆胞及记忆胞的制造方法 | ||
摘要 | 一种具有电荷捕捉结构之记忆胞,其电荷捕捉结构是以一层异质导电团的形式位于上绝缘层与下绝缘层间。这种记忆胞可经由不同方式建构并以相近于氮化物唯读记忆胞的方式操作。 | ||
申请公布号 | TWI315913 | 申请公布日期 | 2009.10.11 |
申请号 | TW093128810 | 申请日期 | 2004.09.23 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 古延辉;钱蓉臻 |
分类号 | H01L29/78 | 主分类号 | H01L29/78 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | 一种记忆胞,包括:一基底,该基底包括一源极、一汲极与一通道;多数层电荷捕捉结构,位于该通道上,每一层电荷捕捉结构包括:一绝缘层;以及多数个异质导电团,被包覆于该绝缘层中,其中每一异质导电团具有之宽度小于该通道之宽度;以及一闸极,位于该些电荷捕捉结构上并与该些电荷捕捉结构电性绝缘。 | ||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |