| 发明名称 | 高吸杂能力及高平坦度之矽晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高吸杂能力(High gettering ability)及高平坦度之矽晶片及其制造方法，该矽晶片包含一正面，其为高平坦度之光滑抛光面(polished surface)、一背面，为高吸杂能力之研削面(ground surface)，由研削面形成的残留机械损伤层(Mechanical damage layer)在高温半导体元件(semiconductor devices)制程中会产生高密度之错位(stacking faults)层而具备高吸杂能力。 | ||
| 申请公布号 | TWI315889 | 申请公布日期 | 2009.10.11 |
| 申请号 | TW095139453 | 申请日期 | 2006.10.26 |
| 申请人 | 合晶科技股份有限公司 | 发明人 | 邱恒德 |
| 分类号 | H01L21/302;H01L21/304 | 主分类号 | H01L21/302 |
| 代理机构 | 代理人 | 桂齐恒;阎启泰 | |
| 主权项 | 一种矽晶片，系令一矽晶片具有一光滑的抛光正面及一研削背面，该研削背面含有一层因研削(Grinding)所造成的机械损伤层(Mechanical damage layer)，该机械损伤层最佳为0.3-2.0μm。 | ||
| 地址 | 桃园县杨梅镇梅狮路2段445巷1号 | ||