制作金氧半导体电晶体之方法

摘要

一种制作MOS电晶体之方法，提供一包含有一闸极结构之基底。随后进行一预非晶化制程，于该闸极结构两侧之该基底内形成一非晶化区域；并进行一共植入制程，于该非晶化区域内植入一共植入掺杂质。进行一第一离子植入制程与一第一快速回火制程以形成一轻掺杂汲极。最后于该闸极结构两侧分别形成一侧壁子，以及形成一源极/汲极。

主权项

一种制作金氧半导体(metal－oxide semiconductor，MOS)电晶体的方法，包含有以下步骤：提供一基底，该基底上包含至少一闸极结构；进行一预非晶化(pre－amorphization，PAI)制程，以于该闸极结构两侧之该基底内形成一非晶化区域；进行一共植入(co－implantation)制程，以于该非晶化区域内植入一共植入掺杂质；进行一第一离子植入制程，以于该非晶化区域内植入一第一掺杂质；进行一第一快速回火(rapid thermal annealing，RTA)制程，以活化该共植入掺杂质与该第一掺杂质，并使该非晶化区域再结晶，而于该闸极结构两侧之该基底内分别形成一轻掺杂汲极(lightly doped drain，LDD)；于该闸极结构之侧壁形成一侧壁子；以及于该侧壁子两侧之该基底内形成一源极/汲极。