| 发明名称 | 可减小非阱区结的区域面积的封闭晶胞阵列结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种可减小非阱区结的区域面积的封闭晶胞阵列结构及其用于功率金氧半场效晶体管。该封闭晶胞阵列结构包含有多个封闭单元晶胞，排列于同一平面，该多个封闭单元晶胞的每一封闭单元晶胞为多边形；以及多个栅极窗，分别形成于该多个封闭单元晶胞的栅极层中每一封闭单元晶胞的一角，该多个栅极窗中未注入源极离子材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101546764A | 申请公布日期 | 2009.09.30 |
| 申请号 | CN200810087647.7 | 申请日期 | 2008.03.25 |
| 申请人 | 联笙电子股份有限公司 | 发明人 | 许修文 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1. 一种可减小非阱区结的区域面积的封闭晶胞阵列结构，包含有：多个封闭单元晶胞，排列于同一平面，该多个封闭单元晶胞的每一封闭单元晶胞为多边形；以及多个栅极窗，分别形成于该多个封闭单元晶胞的栅极层中每一封闭单元晶胞的一角，该多个栅极窗中未注入源极离子材料。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||