发明名称 多域垂直配向型(MVA)像素结构
摘要 本发明涉及面板阵列上的每个多域垂直配向型(MVA)像素结构,具有至少二个子像素。调整该些子像素内部的晶体管的通道长宽比,可使得该些子像素具有不同显示电位,以改善侧视角画面的显示品质。在其中一个子像素与一共用配线(Vcs)间配置一个晶体管,以当成排除残留电荷路径,能改善烧附现象。
申请公布号 CN101546075A 申请公布日期 2009.09.30
申请号 CN200810087677.8 申请日期 2008.03.24
申请人 中华映管股份有限公司 发明人 王贤军;许庭彰
分类号 G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/139(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 陈 亮
主权项 1. 一种多域垂直配向型像素结构,包括:一基板;多条扫描线,配置于该基板上;多条数据线,配置于该基板上;多条共用配线,配置于该基板上;以及多个像素单元,配置于该基板上,每一像素单元包括:一第一像素电极;一第二像素电极;一第三像素电极;以及一多漏极有源元件,该多漏极有源元件至少包括一栅极、一图案化源极、一第一漏极、一第二漏极与一第三漏极,该栅极电性连接至对应的该扫描线,该图案化源极电性连接至对应的该数据线,该第一漏极电性连接至该第一像素电极,该第二漏极电性连接至该第二像素电极,该第三漏极电性连接至该第三像素电极,该第三像素电极电性连接至该共用配线,其中,该栅极、该图案化源极与该第一漏极构成一第一有源元件;该栅极、该图案化源极与该第二漏极构成一第二有源元件;以及该栅极、该图案化源极与该第三漏极构成一第三有源元件,其中,该第一像素电极与该第二像素电极间的一显示电位差与该第二有源元件与该第三有源元件的元件尺寸特征有关。
地址 台湾省台北市中山北路三段二十二号