发明名称 改善HAC特性的多频段单极天线
摘要 一种改善HAC特性的多频段单极天线,主要具有一对激励出高频段的第一及第二金属辐射体,且两者以相互平行且走向相同而设置;另一曲折绕线部连接于该第一及第二金属辐射体的同侧之间,且激励出低频段。该曲折绕线部的电路径长度略大于该高频段的λ/2,使该馈入端与该连接端的电流相位差约为π(180度);该第一及第二金属辐射体下方部份,两者产生的电场大小相近、相位相反,磁场亦同,而第一及第二金属辐射体激发的反相位电磁波到达HAC测试面上发生破坏性干涉,从而,可改善该多频段单极天线的HAC特性。
申请公布号 CN201319403Y 申请公布日期 2009.09.30
申请号 CN200820135974.0 申请日期 2008.09.27
申请人 耀登科技股份有限公司 发明人 汤嘉伦
分类号 H01Q1/36(2006.01)I;H01Q5/00(2006.01)I;H01Q9/04(2006.01)I;H01Q9/30(2006.01)I;H01Q21/30(2006.01)I 主分类号 H01Q1/36(2006.01)I
代理机构 北京天平专利商标代理有限公司 代理人 孙 刚
主权项 1.一种改善HAC特性的多频段单极天线,其特征在于,包括:一对用以分别激励出高频段的第一及第二金属辐射体,两者相间且走向相同设置;该第一金属辐射体具有一馈入端,而该第二金属辐射体具有一连接端,该馈入端与连接端位于相同侧缘;及一用以激励出低频段的曲折绕线部,其一末端连接于该第一金属辐射体的馈入端,另一末端连接于该第二金属辐射体的连接端,该曲折绕线部位在该第一及第二金属辐射体的同侧;其中该曲折绕线部的电路径长度大于该高频段的λ/2,该馈入端与该连接端的电流相位差为π。
地址 中国台湾桃园县