| 摘要 |
Cet élément magnétique à écriture par champ magnétique ou assistée thermiquement ou par transfert de spin assisté thermiquement comporte :- une couche magnétique de référence (43), dont l'aimantation est de direction fixe ;- une couche magnétique de stockage (40), piégée par échange avec une couche antiferromagnétique (41), la direction de l'aimantation de la couche de stockage étant variable lorsque ledit élément est chauffé à une température supérieure à la température de blocage de la couche antiferromagnétique (41) ;- une couche isolante ou semi-conductrice (42) ou à chemin de courant confiné, interposée entre la couche de référence et la couche de stockage ;La couche magnétique de référence (43) et/ou la couche magnétique de stockage (40) comprend une ou plusieurs couche(s) mince(s) (48) de forte résistivité électrique. |
