SIOC低K膜的应力减小

摘要

一种用于沉积低介电常数膜的方法，所述方法包括将包含一种或者多种环状有机硅氧烷和一种或者多种惰性气体的气体混合物到室中的衬底。在一个方面中，该气体混合物还包含一种或者多种氧化气体。所述一种或者多种环状有机硅氧烷到所述室中的总流率与所述一种或者多种惰性气体到所述室中的总流率之比为从约0.10到约0.20。优选地，该低介电常数膜具有压应力。

主权项

1.一种沉积介电膜的方法，包括：输送包含如下组分的气体混合物到室中的衬底：一种或者多种环状有机硅氧烷；和一种或者多种惰性气体，其中，所述一种或者多种环状有机硅氧烷到所述室中的总流率与所述一种或者多种惰性气体到所述室中的总流率之比为约0.10到约0.20；将RF功率施加到所述气体混合物；以及将低介电常数膜沉积在所述衬底上，所述低介电常数膜的介电常数值小于3.4。