半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，该半导体基底包含一第一区及一第二区；形成一第一MOS元件，包括：于该半导体基底的该第一区上形成一第一矽锗材料层；于该第一矽锗材料层上形成一矽材料层；于该矽材料层上形成一第一闸极介电层；以及图案化该第一闸极介电层以形成一第一闸极介电结构。