具有结合介面之发光装置

摘要

在本发明之一些具体实施例中，透明基板AlInGaP装置包括蚀刻终止层，其具有可比知蚀刻终止层小之吸光性。在本发明之一些具体实施例中，透明基板AlInGaP装置包括结合介面，其可经组态以产生比知结合介面低之正向电压。减小装置中之吸光性及/或正向电压可改善该装置之效率。