氮化物半导体装置及其制造方法

摘要

本发明是提供具有在电极间不会发生电阻成分的P电极的氮化物半导体装置及其制造方法。P电极12是由一第一钯膜13、一钽膜14及作为防止钽膜14的氧化之作为抗氧化膜的第二钯膜15所构成，并形成于由氮化物半导体所构成的一P型接触层11上。在第二钯膜15上，形成一垫电极22。作为抗氧化膜的第二钯膜15是全面性地形成于构成P电极12的钽膜14上，藉由此一第二钯膜15可以防止钽膜14的氧化，因此可以抑制发生于P电极12与垫电极22之间的电阻成分，藉此可以防止P电极12与垫电极22的接触不良，因而可以实现低电阻的P电极12。