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发明名称
RESISTANCE VARIABLE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATION
摘要
A memory device, such as a PCRAM, including a chalcogenide glass backbone material with germanium telluride glass and methods of forming such a memory device.
申请公布号
KR100917095(B1)
申请公布日期
2009.09.15
申请号
KR20077003843
申请日期
2005.07.14
申请人
发明人
分类号
H01L21/8247;H01L27/115
主分类号
H01L21/8247
代理机构
代理人
主权项
地址
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