发明名称 薄膜形成方法及薄膜形成装置
摘要 当隔一定间隔并列设置多个阴极靶,用溅镀形成规定薄膜的情况下,抑制在处理基板表面上形成的薄膜上产生波浪形的膜厚分布及膜质分布。当通过给溅射室11a内与处理基板S相向且隔规定间隔并列设置的多个阴极靶31a~31h投入电力,用溅镀形成规定的薄膜期间,使各阴极靶平行于处理基板以一定速度往返运动的同时,使各阴极靶的前面分别形成隧道形的磁力线M的磁铁组合件分别平行于各阴极靶,以一定速度往返运动。当各阴极靶到达往返运动的折返位置时,使各阴极靶的往返运动在规定的时间内停止。
申请公布号 CN101528972A 申请公布日期 2009.09.09
申请号 CN200780039552.1 申请日期 2007.10.12
申请人 株式会社爱发科 发明人 大石祐一;小松孝;清田淳也;新井真
分类号 C23C14/34(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 北京英特普罗知识产权代理有限公司 代理人 齐永红
主权项 1、一种薄膜形成方法,其特征在于:给在溅镀室内与处理基板彼此相向,且隔规定间隔并列设置的多个阴极靶投入电力,通过溅镀形成规定薄膜的薄膜形成方法之中,使各阴极靶平行于处理基板,以一定速度往返运动的同时,使各阴极靶的前面分别形成隧道形磁力线的磁铁组合件分别平行于各阴极靶,以一定速度往返运动,当前述各阴极靶到达折返位置时,使各阴极靶的往返运动在规定的时间内停止。
地址 日本神奈川县