| 发明名称 | 用于高速喷射装置的喷嘴 | ||
| 摘要 | 描述了一种用于喷射装置的喷嘴，包括例如一个图案化的硅基板，实现了半导体批量生产。制造喷嘴的方法的特征在于使用了沉积在硅基板上的一个掩模层。通过穿过掩模层的第一各向同性蚀刻步骤和第二各向异性蚀刻步骤，完成对硅基板的蚀刻，从而制造出准确对准的喷嘴。 | ||
| 申请公布号 | CN101528466A | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200780039799.3 | 申请日期 | 2007.10.23 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | G·尼撒托;F·罗泽博姆;J-E·J·M·鲁宾厄;W·德克斯 |
| 分类号 | B41J2/16(2006.01)I;B41J2/14(2006.01)I;A61M5/30(2006.01)I | 主分类号 | B41J2/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈松涛;王 英 |
| 主权项 | 1、一种制造用于喷射流体的喷嘴(50)的方法，包括如下步骤：设置具有第一侧和第二侧的基板(1)；在所述基板(1)的所述第一侧上设置掩模层(2)，并在所述基板(1)的所述第二侧上设置保护层(3)；在所述掩模层(2)内设置至少一个开口(10)；通过穿过所述掩模层(2)内的所述开口(10)各向同性地移除所述基板(1)的部分，形成喷射腔(20)；通过穿过所述掩模层(2)内的所述开口(10)各向异性地移除所述基板(1)的部分，形成至少一个喷射管(30)；在所述基板(1)的所述第二侧打开所述喷射管；以及移除所述掩模层(2)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||