发明名称 |
一种单向低损耗的乐甫波传感器 |
摘要 |
本发明涉及一种单向低损耗的乐甫波传感器,包括压电基片及分别沉积于其两端的输入叉指换能器和输出叉指换能器,所述压电基片上覆盖有波导层,所述波导层采用剪切波速比压电基片低的低声速膜,该波导层的中部覆盖有敏感膜,所述敏感膜放置在输入叉指换能器和输出叉指换能器中间,其特征在于:所述输入叉指换能器和输出叉指换能器均采用单相单向换能器;所述的波导层采用金、二氧化硅、聚甲基丙烯酸甲脂或环氧树脂;所述的敏感膜根据检测物质的需要,可为生物敏感膜;所述的输入叉指换能器和输出叉指换能器部分可以被覆盖在波导层之内或完全暴露在波导层之外。本发明能降低换能器的双向损耗,从而降低整个器件的插入损耗。 |
申请公布号 |
CN101526501A |
申请公布日期 |
2009.09.09 |
申请号 |
CN200810101503.2 |
申请日期 |
2008.03.07 |
申请人 |
中国科学院声学研究所 |
发明人 |
李红浪;陈烨;何世堂 |
分类号 |
G01N29/02(2006.01)I;G01N29/24(2006.01)I;G01N33/48(2006.01)I;G01H11/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01N29/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京法思腾知识产权代理有限公司 |
代理人 |
杨小蓉 |
主权项 |
1、一种单向低损耗的乐甫波传感器,包括压电基片(5)及分别沉积于其两端的输入叉指换能器(1)和输出叉指换能器(2),所述压电基片(5)上覆盖有波导层(4),所述波导层(4)采用剪切波速比压电基片(5)低的低声速膜,该波导层(4)的中部覆盖有敏感膜(3),所述敏感膜(3)放置在输入叉指换能器(1)和输出叉指换能器(2)中间,其特征在于:所述的输入叉指换能器(1)和输出叉指换能器(2)均采用单相单向换能器。 |
地址 |
100190北京市海淀区北四环西路21号中国科学院声学研究所 |