发明名称 | 用于低暗电流成像器的隔离方法 | ||
摘要 | 一种用于形成用于图像传感器的光敏区域之间的硅隔离界面的钝化层的方法,该方法包括:提供具有多个间隔开的光敏区域的衬底,所述光敏区域响应于入射光来收集电荷;在光敏区域之间的衬底中蚀刻槽;在各光敏区域之上形成多个掩模,使得所述掩模不覆盖光敏区域之间的槽;用第一低剂量对图像传感器进行注入,以使槽钝化;用电介质填充槽,以形成光敏区域之间的隔离;形成多个掩模,覆盖光敏区域,但不覆盖隔离槽的表面角部,以准许在槽隔离的表面角部处的钝化注入;以第二低剂量对图像传感器进行注入,以使有槽的隔离区域的表面角部钝化。 | ||
申请公布号 | CN101529594A | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
申请号 | CN200780038888.6 | 申请日期 | 2007.10.09 |
申请人 | 伊斯曼柯达公司 | 发明人 | H·富吉塔 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;王忠忠 |
主权项 | 1.一种用于形成用于图像传感器的光敏区域之间的硅隔离界面的钝化层的方法,所述方法包括:(a)提供具有多个间隔开的将要形成的光敏区域的衬底,所述光敏区域响应于入射光来收集电荷;(b)在所述将要形成的光敏区域之间的衬底中蚀刻槽;(c)在所述多个将要形成的光敏区域之上形成多个掩模,使得所述掩模不覆盖所述将要形成的光敏区域之间的槽;(d)用第一低剂量对所述图像传感器进行注入,以使所述槽钝化;(e)用电介质填充所述槽,以形成所述将要形成的光敏区域之间的隔离;(f)形成多个掩模,覆盖所述将要形成的光敏区域,但不覆盖隔离槽的表面角部,以准许在槽隔离的所述表面角部处的钝化注入;以及(g)以第二低剂量对所述图像传感器进行注入,以使有槽的隔离区域的所述表面角部钝化。 | ||
地址 | 美国纽约州 |