| 发明名称 | 肖特基器件 | ||
| 摘要 | 常规的肖特基二极管(16)或具有肖特基二极管特性的器件(90)与MOS晶体管(18、92)串行耦合，以对漏电流和击穿电压提供了显著的改进，而前向电流只有小的降低。在反向偏置情况下，有一个小的反向偏置电流，但通过肖特基二极管(16、90)的电压由于MOS晶体管(18、92)而保持较小。几乎所有的反向偏置电压都通过MOS晶体管(18、92)，直至MOS晶体管(18、92)损坏。然而，因为肖特基二极管限制了电流，所以该晶体管损坏不是一开始就损坏的。随着反向偏置电压持续增加，肖特基二极管(16、90)开始吸收更多的电压。这增加了漏电流，而击穿电压相当于晶体管(18、92)和肖特基二极管(16、90)之间的和。 | ||
| 申请公布号 | CN100539181C | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200580017337.2 | 申请日期 | 2005.04.26 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 维杰伊·帕萨撒拉希;维施努·K.·基姆卡;朱荣华;阿米塔瓦·博斯 |
| 分类号 | H01L29/36(2006.01)I;H01L29/80(2006.01)I;H01L27/01(2006.01)I;H01L29/76(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜 娟 |
| 主权项 | 1、一种具有正极端子和负极端子的肖特基器件，包括：具有正极端子和负极端子的类肖特基器件，其中类肖特基器件的正极端子作为肖特基器件的正极端子工作；和耗尽型晶体管，具有耦合到类肖特基器件的负极端子的第一电流电极，耦合到类肖特基器件的正极端子的栅极，和作为肖特基器件的负极端子工作的第二电流电极，其中类肖特基器件包括晶体管，该晶体管具有连接到一起以形成类肖特基器件的正极端子的第一电流电极、栅极和体，以及作为类肖特基器件的负极端子的第二电流电极。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||