发明名称 改良型发光二极体
摘要
申请公布号 TWM364279 申请公布日期 2009.09.01
申请号 TW098204864 申请日期 2009.03.27
申请人 东贝光电科技股份有限公司 台北县三重市光复路1段88之8号9楼 发明人 张暐;沈士超
分类号 H01L33/00 (2006.01) 主分类号 H01L33/00 (2006.01)
代理机构 代理人 蔺超群 台北市大安区罗斯福路2段95号25楼
主权项 1.一种改良型发光二极体,包括:一封装体,系具有一端面、一自该端面延伸的周缘、和一用以容置发光晶片的凹杯;至少一对导电脚,该对导电脚系与该封装体结合在一起;以及一光学透镜,系罩覆于该封装体的端面,且还扩及于该封装体的周缘。2.如申请专利范围第1项所述之改良型发光二极体,其中该封装体的周缘系进一步环设有至少一第一干涉体,该光学透镜与该周缘的邻接处则进一步环设有至少一第二干涉体,该第二干涉体系与该第一干涉体相对应,该第一、二干涉体系彼此干涉在一起。3.如申请专利范围第2项所述之改良型发光二极体,其中该封装体的第一干涉体系为一凹部,该光学透镜的第二干涉体则为与该凹部相对应的凸体。4.如申请专利范围第2项所述之改良型发光二极体,其中该封装体的第一干涉体系为一凸体,该光学透镜的第二干涉体则为与该凸体相对应的凹部。5.如申请专利范围第1项所述之改良型发光二极体,其中该光学透镜系以灌胶或封胶成型方式来与该封装体结合在一起。6.如申请专利范围第1项所述之改良型发光二极体,系进一步包括多数对其它导电脚。图式简单说明:第1图为习知发光二极体的剖面示意图。第2图为本创作发光二极体第一实施例的剖面示意图。第3图为本创作发光二极体第二实施例的剖面示意图第4图为本创作发光二极体第三实施例的剖面示意图
地址