| 发明名称 | 一种光学石英晶体的培育生长工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种光学石英晶体的培育生长工艺，该工艺包括以下步骤：步骤1、对光学石英晶体进行切割，切割方向与所述光学石英晶体的光轴呈45度角，同时切割面与所述光学石英晶体的电轴平行，取片，得45度切型的培育籽晶；步骤2、将所述45度切型的培育籽晶置入高压釜内，对所述45度切型的培育籽晶进行单面培育，使其生长，得到45度切型晶体，即用于加工大尺寸光学石英晶片的光学石英晶体。该工艺通过对籽晶切型的改变可培育生长出能加工出大尺寸光学石英晶片的光学石英晶体，其具有工艺简单、易于培育的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101514490A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200910064238.X | 申请日期 | 2009.02.19 |
| 申请人 | 北京石晶光电科技股份有限公司济源分公司 | 发明人 | 赵雄章;高春浩;郭玉娥 |
| 分类号 | C30B29/18(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 郑州红元帅专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 徐皂兰 |
| 主权项 | 1、一种光学石英晶体的培育生长工艺，其特征在于，该培育生长工艺包括以下步骤：步骤1、对光学石英晶体进行切割，切割方向与所述光学石英晶体的光轴呈45度角，同时切割面与所述光学石英晶体的电轴平行，取片，得45度切型的培育籽晶；步骤2、将所述45度切型的培育籽晶置入高压釜内，对所述45度切型的培育籽晶进行单面培育，使其生长，得到45度切型晶体，即用于加工大尺寸光学石英晶片的光学石英晶体。 | ||
| 地址 | 454650河南省济源市科技工业区北京石晶光电济源分公司 | ||