| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：硅衬底；N沟道场效应晶体管，其包括在硅衬底上的第一栅极绝缘膜、在第一栅极绝缘膜上的第一栅极电极以及第一源极/漏极区域；以及P沟道场效应晶体管，其包括在硅衬底上的第二栅绝缘膜、在第二栅绝缘膜上的第二栅极电极以及第二源极/漏极区域。第一栅极电极和第二栅极电极中的每个包括：结晶硅化镍区域，其包含杂质元素，所述结晶硅化镍区域与第一栅极绝缘膜或第二栅极绝缘膜接触；以及在上部中的阻挡层区域，其包括栅极电极的上表面，所述阻挡层区域包含浓度比上部下方的下部的浓度高的抑制Ni扩散元素。 | ||
| 申请公布号 | CN101517732A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200780035073.2 | 申请日期 | 2007.06.04 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 间部谦三 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：硅衬底；N沟道场效应晶体管，其包括第一源极/漏极区域、在所述硅衬底上的第一栅极绝缘膜以及在所述第一栅极绝缘膜上的第一栅极电极；以及P沟道场效应晶体管，其包括第二源极/漏极区域、在所述硅衬底上的第二栅极绝缘膜以及在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅极电极；其中，所述第一和第二栅极电极中的每个包括：包含杂质元素的结晶硅化镍区域，所述结晶硅化镍区域与所述第一栅极绝缘膜或所述第二栅极绝缘膜相接触；以及在包括所述栅极电极的上表面的上部中的阻挡层区域，所述阻挡层区域包含比在所述上部的下方的下部更高的浓度的抑制Ni扩散元素。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||