半导体装置及其制造方法

摘要

提供了一种半导体装置及其制造方法。在对STI边缘区域进行规定的预处理后，通过热氧化形成双栅氧化物层，其结果是，借助热氧化的高质量氧化物层，以及高电压装置区域的均匀保持的栅氧化物层厚度。本发明包括：被分成有源区域和无源区域的半导体基板，所述有源区域包括高电压装置区域和低电压装置区域；半导体基板的无源区域上的装置隔离层；以及半导体基板的高电压装置区域上的栅氧化物层，该栅氧化物层具有均匀的厚度。

主权项

1. 一种半导体装置，包括半导体基板，具有有源区域和无源区域，所述有源区域包括高电压装置区域和低电压装置区域；具有浅沟槽隔离结构的装置隔离层，其形成在半导体基板的无源区域中，其中所述装置隔离层包括与半导体基板相邻的部分上的牺牲氧化物层，牺牲氧化物层上的衬氧化物层，以及衬氧化物层上的间隙填充氧化物层；在装置隔离层的牺牲氧化物层和衬氧化物层的暴露部分上的缓冲氧化物层；以及栅氧化物层，其在半导体基板的高电压装置区域上，该栅氧化物层具有均匀的厚度。