| 发明名称 | 利用回蚀制造的金属-绝缘体-金属电容器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的方法、一种制造具有金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的集成电路的方法，以及一种具有金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的集成电路。所述制造所述金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的方法尤其包含且不限于以下步骤：在衬底(110)上提供材料层(185)；以及在所述衬底上形成具有厚度(t<sub>1</sub>)的难熔金属层(210)，所述难熔金属层的至少一部分在所述材料层上延伸。所述方法进一步包含减小所述难熔金属层(210)在所述材料层上延伸部分的厚度(t<sub>2</sub>)，借此形成变薄的难熔金属层(310)；以及使所述变薄的难熔金属层(310)与所述材料层的至少一部分反应，以形成用于电容器中的电极。 | ||
| 申请公布号 | CN100530599C | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200680014904.3 | 申请日期 | 2006.03.03 |
| 申请人 | 德州仪器公司 | 发明人 | 托尼·坦·潘;马丁·B·莫拉特 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L29/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 1.一种制造包含金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的半导体装置的方法，其包括：在衬底上提供包含可被硅化的材料的材料层；在所述衬底上形成具有一厚度的难熔金属层，所述难熔金属层的至少一部分在所述材料层上延伸；减小所述难熔金属层的在所述材料层上延伸的所述部分的厚度，借此形成变薄的难熔金属层；以及使所述变薄的难熔金属层与所述材料层的至少一部分反应，以形成用于电容器中的电极。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||