| 发明名称 | 形成集成电路结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成集成电路结构的方法，包括形成介电层，在介电层中形成开口，进行第一沉积步骤以形成晶种层，以及原处进行第一蚀刻步骤以移除该晶种层的一部分。本发明能改善晶种层的不均匀轮廓且不牺牲产能。 | ||
| 申请公布号 | CN101510525A | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200810135794.7 | 申请日期 | 2008.07.14 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 苏莉玲;黄震麟;潘兴强;谢静华 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨 |
| 主权项 | 1. 一种形成集成电路结构的方法，包括：形成介电层；在该介电层中形成开口；进行第一沉积步骤以形成晶种层；以及原处进行第一蚀刻步骤以移除该晶种层的一部分。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||