发明名称 | 半导体器件中的透明非晶碳结构 | ||
摘要 | 形成透明非晶碳层。该透明非晶碳层具有低吸收系数以致非晶碳在可见光中是透明的。该透明非晶碳层可以使用于半导体器件中用于不同的目的。该透明非晶碳层可以包括在半导体器件的最终结构中。该透明非晶碳层还可在半导体器件的制造期间的蚀刻处理中用作掩模。 | ||
申请公布号 | CN100530561C | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
申请号 | CN200480032967.2 | 申请日期 | 2004.09.08 |
申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | Z·殷;W·李 |
分类号 | H01L21/314(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨 凯;梁 永 |
主权项 | 1.一种器件,所述器件包含:衬底,所述衬底包含至少一对准标记;在所述衬底上形成的器件结构;以及在所述器件结构上形成的掩模结构,所述掩模结构包括非晶碳层,所述非晶碳层在633纳米波长具有0.15到0.001之间的吸收系数,使得所述非晶碳层在可见光范围内是透明的,以改善对所述对准标记的读出。 | ||
地址 | 美国爱达荷州 |