发明名称 |
半导体芯片、半导体安装模块、移动装置通信设备、半导体芯片的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种具有可有效抑制LSI的电压下降的电容器的半导体芯片。在半导体基板上,设置至少其表面是由铝电极形成的元件电极。对所述铝电极的表面进行粗面化。在所述铝电极上设置氧化膜。在所述氧化膜上设置导电膜。由所述铝电极、所述氧化膜、和所述导电膜形成电容器。 |
申请公布号 |
CN101506965A |
申请公布日期 |
2009.08.12 |
申请号 |
CN200780030773.2 |
申请日期 |
2007.08.24 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
平野浩一;小掠哲义;中谷诚一 |
分类号 |
H01L21/822(2006.01)I;H01G9/00(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/822(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1. 一种半导体芯片,在半导体基板上,设置至少其表面是由铝电极形成的元件电极,对所述铝电极的表面进行粗面化,在所述铝电极上设置氧化膜,在所述氧化膜上设置导电膜,由所述铝电极、所述氧化膜、和所述导电膜形成电容器。 |
地址 |
日本大阪府 |