电平变换电路

摘要

电平变换部(101)的p沟道MOSFET(11)的源极连接到接受电源电位VDD的电源端子，漏极连接输出节点NO，栅极连接输入节点I2。n沟道MOSFET(12)的源极连接输入节点I1，漏极连接输出节点NO，栅极连接到接受电源电位VDD的电源端子。输入信号CLK1、CLK2互补地变化，它们的高低电平电位差小于电源电位VDD与接地电位之间的电位差。

主权项

1. 一种电平变换电路，其特征在于，具备连接于施加电源电压的电源节点与输出节点之间的第1导电型的第1晶体管，以及连接于输入第1输入信号的第1输入节点与所述输出节点之间的第2导电型的第2晶体管，所述第2晶体管的控制电极连接到所述电源节点，所述第1晶体管的控制电极连接到输入第2输入信号的第2输入节点，并从所述输出节点取出输出信号；对各所述第1及第2晶体管设置单一或各别的所述电源电压，设定第1晶体管对应的电源电压为高于所述第1输入信号的高电平的值，设定第2晶体管对应的电源电压为高于所述第2输入信号的高电平的值，根据这些电源电压与所述第1输入信号及第2输入信号的电压差控制所述第1及第2晶体管导通状态的程度，第1输入信号被变换为对应于所述电源电压的所述输出信号。