发明名称 头灯
摘要 一种车辆的头灯装备有包含一个或多个发光器件(LED)的光源,以及基体部件(底座和后盖),用以把光源紧固在车辆上。所述发光器件包括:GaN衬底1;在所述GaN衬底1的第一主表面一侧上的n-型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层3;位于比所述n-型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层3更远离GaN衬底1的p-型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层5;以及位于所述n-型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层3与p-型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层5之间的多量子阱4。在这种发光器件中,所述GaN衬底1的电阻率不大于0.5Ω·cm,朝下安装p-型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层5一侧,并从第二主表面1a放出光,所述第二主表面是一个与所述第一主表面相对的GaN衬底1的主表面。
申请公布号 CN100524853C 申请公布日期 2009.08.05
申请号 CN200510022816.5 申请日期 2005.12.08
申请人 住友电气工业株式会社 发明人 永井阳一;中村孝夫;片山浩二
分类号 H01L33/00(2006.01)I;B60Q1/04(2006.01)I;F21S8/10(2006.01)I;F21W101/10(2006.01)N;F21Y101/02(2006.01)N 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 陈瑞丰
主权项 1. 一种车用头灯,包括:光源,包含一个或多个发光器件;和基体部件,用以把光源紧固在车辆上;其中,所述发光器件包括:氮化物半导体衬底;在所述氮化物半导体衬底第一主表面上的n-型氮化物半导体层;位于比所述n-型氮化物半导体层更远离所述氮化物半导体衬底处的p-型氮化物半导体层;以及位于所述n-型氮化物半导体层与p-型氮化物半导体层之间的发光层;所述氮化物半导体衬底的电阻率不大于0.5Ω·cm;而且朝下安装所述p-型氮化物半导体层一侧,从作为氮化物半导体衬底一个主表面的第二主表面发射光,所述第二主表面与第一主表面相对。
地址 日本大阪府
您可能感兴趣的专利