发明名称 抗反射膜和曝光方法
摘要 一种抗反射膜,其中,在浸液式平版印刷技术中,即使在曝光光线倾斜进入的地方,也能够在抗蚀剂层和硅衬底之间的界面处获得充分降低的反射率。两层抗反射膜用在通过波长为190-195nm并且数值孔径为1.0或更小的曝光系统的曝光中,并且形成于抗蚀剂层与硅衬底之间。抗反射膜的上层和下层的复折射率N<sub>1</sub>和N<sub>2</sub>以及膜厚度分别是由n<sub>1</sub>-k<sub>1</sub>i,n<sub>2</sub>-k<sub>2</sub>i和d<sub>1</sub>,d<sub>2</sub>表示的,并且选择值[n<sub>10</sub>,k<sub>10</sub>,d<sub>10</sub>,n<sub>20</sub>,k<sub>20</sub>,d<sub>20</sub>]的预定组合,n<sub>1</sub>,k<sub>1</sub>,d<sub>1</sub>,n<sub>2</sub>,k<sub>2</sub>和d<sub>2</sub>满足{(n<sub>1</sub>-n<sub>10</sub>)/(n<sub>1m</sub>-n<sub>10</sub>)}<sup>2</sup>+{(k<sub>1</sub>-k<sub>10</sub>)/(k<sub>1m</sub>-k<sub>10</sub>)}<sup>2</sup>+{(d<sub>1</sub>-d<sub>10</sub>)/(d<sub>1m</sub>-d<sub>10</sub>)}<sup>2</sup>+{(n<sub>2</sub>-n<sub>20</sub>)/(n<sub>2m</sub>-n<sub>20</sub>)}<sup>2</sup>+{(k<sub>2</sub>-k<sub>20</sub>)/(k<sub>2m</sub>-k<sub>20</sub>)}<sup>2</sup>+{(d<sub>2</sub>-d<sub>20</sub>)/(d<sub>2m</sub>-d<sub>20</sub>)}<sup>2</sup>≤1。
申请公布号 CN100524022C 申请公布日期 2009.08.05
申请号 CN200610073937.7 申请日期 2006.02.28
申请人 索尼株式会社 发明人 松泽伸行;渡辺阳子;布恩塔里卡·桑纳卡特;小泽谦;山口优子
分类号 G03F7/09(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I 主分类号 G03F7/09(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯 宇
主权项 System.Xml.XmlException: The ',' character, hexadecimal value 0xFF0C, cannot be included in a name. Line 1, position 579.at System.Xml.XmlTextReaderImpl.Throw(Exception e)at System.Xml.XmlTextReaderImpl.Throw(String res, String[] args)at System.Xml.XmlTextReaderImpl.Throw(Int32 pos, String res, String[] args)at System.Xml.XmlTextReaderImpl.ParseElement()at System.Xml.XmlTextReaderImpl.ParseElementContent()at System.Xml.XmlTextReaderImpl.Read()at System.Xml.XmlTextReader.Read()at System.Xml.XmlReader.WriteNode(XmlTextWriter xtw, Boolean defattr)at System.Xml.XmlReader.ReadInnerXml()at ZQtake.Form1.exchangetable(String tbstr) in D:/vsproject/ZQtake/ZQtake/Form1.cs:line 155at ZQtake.Form1.getzhuquan(String xmlpath) in D:/vsproject/ZQtake/ZQtake/Form1.cs:line 115
地址 日本东京都