| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：多个第一互连层，设置在绝缘层中，且形成为宽度和间隔小于曝光技术的分辨极限的图形；以及第二互连层，设置在绝缘层中的第一互连层之间，并且宽度大于第一互连层的宽度。第二互连层和邻近第二互连层两侧的每个第一互连层之间的间隔等于第一互连层之间的间隔。 | ||
| 申请公布号 | CN101499457A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200910003275.X | 申请日期 | 2009.02.01 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 远藤真人;加藤龙也 |
| 分类号 | H01L23/535(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/535(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李 峥 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：多个第一互连层，设置在绝缘层中，且形成为宽度和间隔小于曝光技术的分辨极限的图形；以及第二互连层，设置在绝缘层中的第一互连层之间，并且宽度大于第一互连层的宽度，其中第二互连层和邻近第二互连层两侧的每个第一互连层之间的间隔等于第一互连层之间的间隔。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||