| 发明名称 | 具有MIM电容器的半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供具有MIM电容器的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括电容器，该电容器包含：至少包含第一绝缘膜和与第一绝缘膜接触形成的铁电膜的电容器绝缘膜，该铁电膜包含预定的金属元素和第一绝缘膜的构成元素的化合物作为主要成分，并具有比第一绝缘膜的介电常数大的介电常数；由Cu和以Cu为主要成分的材料中的一种形成的第一电容器电极；和形成为与第一电容器电极共同夹住电容器绝缘膜的第二电容器电极。 | ||
| 申请公布号 | CN100524766C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200610099832.9 | 申请日期 | 2006.06.30 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 那须勇人;臼井孝公;柴田英毅 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L27/102(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 岳耀锋 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置，包括：第一电容器，该第一电容器包含：至少包含第一绝缘膜和与所述第一绝缘膜接触形成的第一铁电膜的第一电容器绝缘膜，该第一铁电膜以预定的金属元素和所述第一绝缘膜的构成元素的化合物作为主要成分，并具有比所述第一绝缘膜的介电常数大的介电常数，所述预定的金属元素包含选自包含Mn、Nb、Zr、Cr、V、Y、Tc和Re的组中的至少一种元素；和形成为夹住所述第一电容器绝缘膜的第一和第二电容器电极，该第一和第二电容器电极由Cu或者以Cu为主要成分的材料形成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||