制造双栅晶体管的方法

摘要

制造了一种平面双栅晶体管，其中，将结晶抑制剂注入半导体晶片(10)的沟道区域(16)，所述晶片具有包括邻接非晶半导体层(12)的初始结晶半导体层(14)的叠层结构。通过加热，限制沟导区域内的非晶半导体层的局部再生长，从而允许在保持薄的沟道的同时增大源极/漏极延伸区域的厚度。选择性地去除任何剩余的非晶材料，从而留下空腔，来允许在沟道区域的相对侧上形成栅极电极(30，32)。通过在初始结晶半导体层的两侧上提供非晶层，从而在两个方向上提供再生长限制，可以进一步利用本发明。

主权项

1. 一种制造双栅晶体管的方法，所述双栅晶体管包括沟道区域(16)和布置在沟道区域相对侧上的两个栅极电极(30，32)，所述方法包括下列步骤：提供具有叠层结构的半导体晶片(10)，所述叠层结构包括邻接非晶半导体层(12)的初始结晶半导体层(14)，该初始结晶半导体层包括沟道区域；将结晶抑制剂(200)引入半导体晶片的被选择区域(20)，所述被选择区域在对应于沟道区域的横向位置的位置上延伸通过非晶半导体层；执行结晶操作，以便使处于被选择区域外部的非晶半导体层的区域结晶，从而形成扩展结晶半导体层(14’)，该扩展结晶半导体层(14’)在所述被选择区域之外的厚度比所述初始结晶半导体层(14)的厚度大，而在所述被选择区域内的厚度与所述初始结晶半导体层的厚度基本上相等；选择性地去除剩下的非晶半导体材料；以及在沟道区域的相对侧上形成栅极电极。