发明名称 单模垂直腔面发射激光器及其制造方法
摘要 本发明公开了垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制造方法。一方面,VCSEL可用来在工作波长下产生单模激光。这种VCSEL包括光发射表面和整块纵向叠层结构。纵向叠层结构包括第一反射镜、第二反射镜和腔区。腔区设置在第一反射镜和第二反射镜之间,包括活性光产生区和腔延伸区。纵向叠层结构还包括离子注入电流抑制区。本发明还描述了包含上述VCSEL的VCSEL阵列以及制造上述VCSEL的方法。
申请公布号 CN100524985C 申请公布日期 2009.08.05
申请号 CN200410080455.5 申请日期 2004.10.10
申请人 安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司 发明人 伯纳德·乌尔里克·克勒;斯科特·W·科尔扎因;劳拉·焦瓦尼;郑安年
分类号 H01S5/183(2006.01)I 主分类号 H01S5/183(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 肖善强
主权项 1. 一种可用来在工作波长下产生单模激光的垂直腔面发射激光器,包括:光发射表面;和整块的纵向叠层结构,其包括:第一反射镜,其对所述工作波长的光的光反射率为R1,第二反射镜,其对所述工作波长的光的光反射率为R2,其中R1和R2的值不相同,一个大于99.9%,另一个小于99.7%,腔区,其设置在所述第一反射镜和所述第二反射镜之间,并包括活性光产生区和腔延伸区;其中所述纵向叠层结构还包括离子注入电流抑制区,所述离子注入电流抑制区的纵向注入浓度峰距离所述腔区的纵向距离大于0.5μm。
地址 新加坡新加坡市