发明名称 沟渠隔离结构及其形成方法
摘要 一种沟渠隔离结构及其形成方法,该结构包含:一基材,具有一漏斗状沟渠,且该漏斗状沟渠之侧壁包含一第一介电层;其中该漏斗状沟渠可区分为:一第一区段,系具有一朝向该基材表面之开口,且系由一介电材料所填充;以及一第二区段,实质上为一锥状,且于与该第一区段之交界处为密封状态。
申请公布号 TW200933813 申请公布日期 2009.08.01
申请号 TW097103457 申请日期 2008.01.30
申请人 茂德科技股份有限公司 发明人 吴孝哲;李名言;蔡文立
分类号 H01L21/76(2006.01) 主分类号 H01L21/76(2006.01)
代理机构 代理人 王宗梅
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼