掺杂多晶矽导体及其沟渠式电容器结构之制备方法

摘要

本发明提出一种沟渠式电容器结构之制备方法，包含步骤(a)放置一基板于一反应腔内，该基板具有至少一沟渠、一设置于该沟渠之下部外缘的埋入式下电极以及一覆盖该沟渠内侧壁之介电层；(b)进行一薄膜沈积制程，以形成一多晶矽层于该介电层上；(c)进行一晶粒成长制程，以形成复数个多晶矽晶粒于该多晶矽层上；以及(d)进行一掺质扩散制程，以经由该多晶矽晶粒扩散导电掺质进入该多晶矽层。