制造金氧半导体电晶体之方法

摘要

本发明揭示一种制造金氧半导体电晶体之方法。本发明之方法系利用三层光阻层制得形状完好并且尺寸小的图案化硬遮罩层，利用此硬遮罩层制得闸极，然后藉由盖层的形成与定义，于基底上蚀刻形成凹槽，于凹槽形成磊晶层，之后，才移除图案化之硬遮罩层。如此可避免知之闸极凸块的问题及知之浅沟绝缘结构(STI)氧化物损失而导致接触窗桥接的问题。