成膜方法、成膜装置、记忆媒体、及半导体装置

摘要

本发明系关于一种形成于层间绝缘膜与配线金属之间之阻障膜，可获得相对于构成配线金属之元素或构成层间绝缘膜之元素之高阻障性。其中，使于处理容器内载置基板之载置台与沿周向形成有多数狭缝之平面天线构件对向设置，透过该平面天线构件供给来自波导管之微波至处理容器内。另一方面，自处理容器上部供给Ar气体等电浆产生用气体并自与此气体供给口不同之位置供给系原料气体之例如三甲基矽烷气体与氮气，藉此电浆化此等气体，且对该载置部施加偏压用高频功率，俾使供给载置台顶面之每单位面积之偏压用高频功率在0.048W/cm#sP!2#eP!以下。