发明名称 低老化率小型高稳恒温晶振
摘要 本实用新型公开了一种低老化率小型高稳恒温晶振,其特征在于,包括晶体振荡电路,所述晶体振荡电路由主振级电路、匹配网络、幅度放大器、输出电路和隔离网络五部分依次串接组成;所述的主振级电路中的振荡管为场效应管;还包括控温电路;本低老化率小型高稳恒温晶振的体积小于等于15cm<sup>3</sup>;老化率为10<sup>-11</sup>/日;短期稳定度为5×10<sup>-12</sup>/S;工作频率为40MHz。
申请公布号 CN201282448Y 申请公布日期 2009.07.29
申请号 CN200820158437.8 申请日期 2008.09.10
申请人 长沙太阳人电子有限公司 发明人 单涨国
分类号 H03B5/36(2006.01)I;H03B5/04(2006.01)I 主分类号 H03B5/36(2006.01)I
代理机构 长沙市融智专利事务所 代理人 颜 勇
主权项 1、一种低老化率小型高稳恒温晶振,其特征在于,包括晶体振荡电路,所述晶体振荡电路由主振级电路、匹配网络、幅度放大器、输出电路和隔离网络五部分依次串接组成;所述的主振级电路中的振荡管为场效应管。
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