发明名称 NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHODS OF USING
摘要 The present disclosure adjusts the voltage threshold values of select gates of NAND strings. The select gates of the NAND string can be read, erased, and programmed.
申请公布号 US2009180330(A1) 申请公布日期 2009.07.16
申请号 US20080972312 申请日期 2008.01.10
申请人 SPAINSION LLC 发明人 VANBUSKIRK MICHAEL A.;BILL COLIN S.;AKAOGI TAKAO
分类号 G11C16/06;G11C11/34 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
主权项
地址