能够抛光单个管芯的用于对大尺寸晶片进行化学机械抛光的方法及装置

摘要

说明一种用于化学机械平坦化处理的新型抛光机。该抛光机设计可以具有许多变化。对于处理过程和消耗品评价，可以在单个管芯或者部分晶片上进行CMP处理。试验晶片的尺寸可以小到2″以及大到18″。此外，在单次实验中，多个变量可以表现浆料的如下特征：静态蚀刻速率、动态蚀刻速率、材料去除速率以及粘度。对于制作层面的晶片处理，通过使用多臂抛光头或者在抛光头的底部具有小块的垫的单个抛光头来实现对晶片表面上的所有管芯进行化学机械抛光。可以容易地控制晶片内的均匀性，并且可以容易地成比例增加或者成比例缩小设备。在制作层面上，本发明的设计可以显著降低晶片处理的成本，在研究和研制层面上，本发明的设计可以进行消耗品的评价。

主权项

1. 一种对基板的表面进行化学机械抛光以去除所述基板的所述表面的选定部分的方法，该方法包括：(i)使所述基板的至少部分表面与抛光垫保持滑动摩擦接触，直到去除所述基板的所述表面的所述选定部分；(ii)使用具有小块商业CMP垫或仍未商业化使用的CMP垫的单个抛光头对包括一个以上的管芯的无图案/有图案的晶片上的一个区域进行抛光；以及(iii)使用每个抛光臂与有图案的晶片上的管芯对应的多臂抛光头对所述有图案的晶片进行抛光。