| 发明名称 | Ag/硅复合结构紫外光探测器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种Ag/硅复合结构紫外光探测器，从上至下依次为Ag薄膜层、单晶硅基片和欧姆接触金属电极；所述Ag薄膜层的厚度为20～80nm；所述单晶硅基片的厚度为100～300um；所述欧姆接触金属电极为Au、Pt或Al电极，且为平面接触，厚度为100～500nm；所述Ag薄膜层和单晶硅基片的接触面为抛光面。本发明还公开了上述紫外光探测器的制备方法。本发明将Ag薄膜的光学特性结合到Si的单晶基片上来实现紫外光的光电响应，得到了一种新型的Ag/Si复合结构的紫外光探测器，为紫外光探测技术的发展做出了贡献。 | ||
| 申请公布号 | CN101483198A | 申请公布日期 | 2009.07.15 |
| 申请号 | CN200910028977.3 | 申请日期 | 2009.02.03 |
| 申请人 | 苏州大学 | 发明人 | 苏晓东;沈明荣 |
| 分类号 | H01L31/00(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陶海锋 |
| 主权项 | 1. 一种Ag/硅复合结构紫外光探测器，其特征在于：从上至下依次为Ag薄膜层、单晶硅基片和欧姆接触金属电极；所述Ag薄膜层的厚度为20～80nm；所述单晶硅基片的厚度为100～300um。 | ||
| 地址 | 215123江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号 | ||