| 发明名称 | 一种制备多晶硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种制备多晶硅薄膜的方法，其包括以下步骤：(1)将硅粉、无机溶胶与有机溶剂混合，搅拌均匀，形成混合物；(2)将第(1)步配制的硅粉、无机溶胶与有机溶剂的混合物利用丝网印刷或喷涂法在衬底上成膜，并在200℃～600℃温度下退火，退火时间为0.1h～3h。本发明工艺简单，成本低廉；成膜均匀性好，膜厚便于控制；所需晶化温度低，因而能耗低；衬底选择范围广；适用于大面积规模化流水线生产。 | ||
| 申请公布号 | CN101481819A | 申请公布日期 | 2009.07.15 |
| 申请号 | CN200810237489.9 | 申请日期 | 2008.12.30 |
| 申请人 | 湖南师范大学 | 发明人 | 羊亿;罗云荣 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 长沙星耀专利事务所 | 代理人 | 宁星耀 |
| 主权项 | 1、一种制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将硅粉、无机溶胶与有机溶剂混合，搅拌均匀，形成混合物；(2)将第(1)步配制的硅粉、无机溶胶与有机溶剂的混合物利用丝网印刷或喷涂法在衬底上成膜，并在200℃～600℃温度下退火，退火时间为0.1h～3h。 | ||
| 地址 | 410081湖南省长沙市岳麓区河西二里半 | ||