| 发明名称 | 霍尔元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供化合物半导体叠层构造体、霍尔元件和霍尔元件的制造方法。可以稳定地提供电子迁移率和薄膜电阻高，并且温度特性优越的量子阱型化合物半导体的叠层体，因此，可以在工业上提供灵敏度高电力消耗低，并且温度特性也优越的霍尔元件。层叠由Al、Ga、In、As和P中至少2种元素和Sb构成的第1和第2化合物半导体层和In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1-y</sub>(0.8≤x≤1.0，0.8≤y≤1.0)组成的化合物半导体的活性层，使第1和第2化合物半导体层中的每一个，与活性层比较，具有宽带隙和大于等于5倍的电阻值而进行成膜，将第1和第2化合物半导体层和活性层的晶格常数差都设定在0.0～1.2％的范围内，并将活性层的厚度设定在30～100nm的范围内，构成化合物半导体的叠层构造体。 | ||
| 申请公布号 | CN100511748C | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN03802291.5 | 申请日期 | 2003.01.15 |
| 申请人 | 旭化成电子材料元件株式会社 | 发明人 | 渡边隆行;柴田佳彦;氏原刚志;吉田孝志;大山明彦 |
| 分类号 | H01L43/06(2006.01)I;H01L43/14(2006.01)I;G01R33/07(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 吴丽丽 |
| 主权项 | 1. 一种霍尔元件，其特征在于：在基片上，具有：由InX1Ga1-X1AsY1Sb1-Y1构成的活性层；在该活性层的上下配置了具有比该活性层大的禁带宽度的第1以及第2化合物半导体层的半导体薄膜，其中，0≤X1≤1，0≤Y1≤1；直接覆盖在上述活性层上的一部分之外的上述半导体薄膜的上面以及侧面的保护层；设置在该保护层上以及上述活性层上的一部分上，通过上述保护层与上述第1以及第2化合物半导体层电绝缘，仅与上述活性层接触的金属电极层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||